【法规】2022年10月施行《多晶硅安全生产规范》（征求意见稿）
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2024-07-19
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AQ
中 华 人 民 共 和 国 安 全 生 产 行 业 标 准
AQ XXXX—20XX
Safety specification for polycrystalline silicon production
（征求意见稿）
附件 1
ICS 13.100
CCS C65
备案号
多晶硅安全生产规范
中华人民共和国应急管理部
发 布
XXXX-XX-XX 发布 XXXX-XX-XX 实施
I
AQ XXXX—20XX
目次
前言..................................................................................II
1 范围................................................................................1
2 规范性引用文件......................................................................1
3 术语和定义..........................................................................2
4 设计与总图布局......................................................................3
4.1 基本规定........................................................................3
4.2 总平面布置......................................................................3
4.3 工艺及生产装置..................................................................3
4.4 防火、防爆设计与安全疏散........................................................4
4.5 电气设施........................................................................5
4.6 过程自动控制....................................................................5
4.7 消防设施........................................................................6
4.8 通风与排烟......................................................................6
4.9 危险化学品储存..................................................................7
5 生产过程安全........................................................................7
5.1 一般规定........................................................................7
5.2 生产装置开车基本要求............................................................8
5.3 生产装置停车基本要求............................................................8
5.4 三氯氢合成......................................................................8
5.5 氯硅烷分离.....................................................................10
5.6 三氯氢硅还原...................................................................10
5.7 还原尾气干法回收...............................................................11
5.8 四氯化硅冷氢化..................................................................12
5.9 二氯二氢硅反歧化................................................................12
5.10 废气淋洗.......................................................................13
附录 A（规范性）多晶硅生产火灾危险性分类...............................................15
附录B（规范性）多晶硅生产场所空气中主要有毒物质及粉尘容许浓度..........................16
附录C（资料性）多晶硅生产过程中的危险、有害因素........................................19
附录 D（资料性）多晶硅生产安全规章制度目录.............................................21
附录E（资料性）多晶硅企业重大生产安全事故隐患判定标准..................................22
II
1.1.1.1.1.1 AQ XXXX—20XX
前言
本文件按照GB/T 1.1—2020《标准化工作导则第1部分:标准化文件的结构和起草规则》的规定起草
请注意本文件的某些内容可能涉及专利，本文件的发布机构不承担识别专利的责任。
本文件由中华人民共和国应急管理部提出。
本文件由全国安全生产标准化技术委员会化学品安全分技术委员会（SAC/TC288/SC3）归口。
本文件起草单位：中国氟硅有机材料工业协会、中国化学品安全协会、四川永祥股份有限公司、江
苏中能硅业科技发展有限公司、新疆大全新能源股份有限公司、合盛硅业股份有限公司、同轨科技成都
有限公司、华陆工程科技有限责任公司、四川晨光工程设计院有限公司。
本文件主要起草人：李斌，程长进，杨武明，郑东昊，罗周，王世棋，兰云，韩洪流，王路，朱文
刚，贾敏，程渝峰，陈宏愿
1
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多晶硅安全生产规范
1 范围
本文件界定了采用三氯氢硅还原法生产多晶硅的术语和定义，规定了企业从设计到生产全过程的安
全技术基本要求，包括设计与总图布局中的安全要求、生产过程的安全要求。
本文件适用于采用三氯氢硅还原法工艺技术生产多晶硅的企业。
采用其他工艺技术生产多晶硅的生产企业可参照执行。
2 规范性引用文件
下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件
仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本
文件。
GBZ/T 223 工作场所有毒气体检测报警装置设置规范
GB 2894 安全标志及其使用导则
GB 5083 生产设备安全卫生设计总则
GB 7231 工业管道的基本识别色、识别符号和安全标识
GB 12158 防止静电事故通用导则
GB 15577 粉尘防爆安全规程
GB 16297 大气污染物综合排放标准
GB/T 38144.1 眼面部防护 应急喷淋和洗眼设备 第1部分：技术要求
GB/T 38144.2 眼面部防护 应急喷淋和洗眼设备 第2部分：使用指南
GB 50016 建筑设计防火规范
GB 50057 建筑物防雷设计规范
GB 50058 爆炸危险环境电力装置设计规范
GB 50073 洁净厂房设计规范
GB 50140 建筑灭火器配置设计规范
GB 50160 石油化工企业设计防火标准
GB 50177 氢气站设计规范
GB 50257 爆炸和火灾危险环境电力装置施工及验收规范
GB 50316 工业金属管道设计规范
GB 50351 储罐区防火堤设计规范
GB 50370 气体灭火系统设计规范
GB/T 50493 石油化工可燃气体和有毒气体检测报警设计标准
GB 50650 石油化工装置防雷设计规范
GB 50974 消防给水及消火栓系统技术规范
GB 51034 多晶硅工厂设计规范
GB 51283 精细化工企业工程设计防火标准
AQ 3013 危险化学品从业单位安全标准化通用规范
HG/T 21581 自控安装图册
SH/T 3097 石油化工静电接地设计规范
2
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3 术语和定义
下列术语和定义适用于本文件。
3.1
多晶硅 polycrystalline silicon
单质硅的一种形态，硅原子以晶格形态排列成许多晶核，这些晶核长成晶面取向不同的晶粒，晶粒
组合结晶成多晶硅。
3.2
三氯氢硅还原法trichlorosilanehydrogenreduction process
在一定温度下的高纯硅芯上用高纯氢还原高纯三氯氢硅，在硅芯上沉积生长多晶硅；同时具备回收
利用生产过程中伴随产生的氢气、氯化氢、四氯化硅等副产物以及副产热能，最大限度地实现“物料内
部循环、能量综合利用”的多晶硅生产工艺。
3.3
还原炉 reduction furnace
一种生产棒状多晶硅的专用化学气相沉积设备。
3.4
氯硅烷 chlorosilane
硅烷（SiH4）中的氢原子部分或全部被氯原子取代后的物质统称。通常包括SiCl
4、SiHCl
3、
SiH2Cl2、SiH3Cl等。
3.5
还原尾气 reduction off-gas
在还原炉内生成多晶硅的反应过程中，未反应完全的原料和生成的副产物的混合气体，主要包括氢
气、气态氯硅烷及氯化氢、不定型硅等。
3.6
二氯二氢硅反歧化dichlorodihydrosilicon anti-disproportionation reaction
二氯二氢硅和四氯化硅在一定温度和催化剂作用下生成三氯氢硅的反应。
3.7
主工艺物料系统 main process material system
包括氯硅烷提纯系统、还原系统、还原尾气干法回收系统、三氯氢硅合成系统、四氯化硅氢化系统
二氯二氢硅反歧化系统、废气淋洗系统、渣浆回收系统、氯硅烷罐区。
3
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4 设计与总图布局
4.1基本规定
4.1.1 多晶硅生产企业的新建、改建、扩建项目，安全设施应与主体工程同时设计、同时施工、同时投
入生产和使用。
4.1.2 用于生产、储存危险化学品的多晶硅生产企业应当对建设项目进行安全条件论证，委托具有国家
规定资质条件的机构对建设项目进行安全评价。
4.1.3多晶硅生产企业用于生产、储存危险化学品的建设项目应委托具有工程设计综合资质甲级或者化
工石化专业资质甲级的设计单位负责设计。
4.1.4 多晶硅生产企业用于生产、储存危险化学品的建设项目应委托具有化工建设相应资质的建设单位
负责施工。
4.2 总平面布置
4.2.1 多晶硅生产企业的总平面布置应符合GB 51034的有关规定。
4.2.2 厂区消防通道设计应符合GB 50016和GB 50160的有关规定。
4.2.3 多晶硅生产企业的总平面布置应根据生产工艺流程、生产特点和火灾危险性，结合地形、风向等
条件，按功能集中原则分区布置，可分为生产区、公用工程及辅助设施区、储运区、集中控制区、行政办
公区。
4.3 工艺及生产装置
4.3.1 工艺流程选择、设备选型及工艺布置，应根据多晶硅生产主要物料的易燃易爆、有毒及火灾危险
等危害特性确定，选择符合国家标准、安全可靠的工艺设备和流程。安全设备设施的设计、制造、安装、
使用、检测、维修等应符合国家有关标准的规定。
4.3.2 工艺生产系统内的设备、管道的材质以及管阀件，应根据物料性质和工况条件选取，并应采取相
应的安全防护措施；金属管道的材料、组成件的选用、布置应符合GB 50316的要求。
4.3.3 生产设备应具备基本安全功能，符合GB 5083的通用安全要求。锅炉、压力容器、压力管道、电
梯、电动葫芦、供垂直运输物品的升降机、叉车等特种设备应当符合国家有关法规和标准的要求。
4.3.4 工业管道的识别色、识别符号、安全标识应符合GB 7231和GB 2894的要求。
4.3.5 生产工艺排放点均应设放空装置，并定期检查其有效性。当通过排气筒、放空管直接向大气排
放无环境污染的放空气时，排气筒、放空管的高度应符合 GB 50160 的有关规定。不应将导出管置于下
水道等限制性空间，以免引起爆炸。放空管宜选用金属材料或者采取防静电措施的非金属材料。放空管
上应设有阻火设施，应静电接地。管口上应有挡雨、阻雪的措施。可燃气体连续对空排放管道应安装氮
气置换管道。
4.3.6 液氯汽化工序宜使用盘管式或套管式汽化器的液氯全汽化工艺，液氯汽化温度不应低于71℃，建
议热水温度应控制在75℃～85℃。不应将液氯贮槽（罐）、罐车或半挂车槽罐直接作为液氯汽化器使用。
液氯汽化器、预冷器及热交换器等设备，应装有排污（NCl3)装置和污物处理设施，并定期分析 NCl3含量
排污物中NCl3含量不应大于60 g/L，否则需增加排污次数和排污量，并加强监测。
4.3.7 主工艺物料系统应设安全阀、爆破片、事故紧急排放、氮气稀释灭火等安全设施。还原炉夹套冷
却、三氯氢硅合成炉冷却、天然气制氢转化炉夹套冷却等系统应设置安全阀等安全设施。
4.3.8 硅芯制备采用区熔法拉制工艺时，宜设置电磁屏蔽。
4.3.9 腐蚀清洗工序的腐蚀清洗设备内，酸腐蚀部位应设置强制通风，废气应处理达标后再排放；输送
强酸的管道应采用双层套管，外层宜采用透明聚氯乙烯(PVC)管等防腐蚀、防喷溅措施。
4.3.10 液氯汽化、氯化氢与三氯氢硅合成、储罐区、四氯化硅氢化、提纯、还原尾气干法回收、渣浆
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回收等存有氯气、氯硅烷的装置区域内应参照GB/T 38144.1和GB/T 38144.2相关条款设置冲洗和洗眼设施
4.3.11 有爆炸危险的甲、乙类火灾危险性的设备宜露天或半露天布置，但有工艺洁净要求或有防冻、
防风沙限制的设备的多晶硅还原、电解水制氢等装置采取抗爆泄爆措施后可布置在封闭建筑内。
4.3.12 涉及氯硅烷的系统宜采用气密试验；若采用水压试验，试验后应对系统进行干燥，达到露点
≤-40℃。
4.4 防火、防爆设计与安全疏散
4.4.1 厂房和库房的防火分区、疏散口布置及疏散距离应符合GB 50016的有关规定；厂房洁净区的防火
设计应符合GB 50073的有关规定。
4.4.2 当装置框架为钢结构时，钢结构的耐火保护应符合GB 50160的有关规定。
4.4.3 罐区的防火堤设计应符合GB 50351的有关规定。
4.4.4 甲、乙、丙类多层厂房内各层由不同功能房间组成时，宜按层划分防火分区，疏散楼梯应采用封
闭楼梯间或室外楼梯。封闭楼梯间和室外楼梯的设计应按GB 50016的规定执行，封闭楼梯间的门应为乙级
防火门，且应向疏散方向开启，双扇门应具备顺序启闭功能。
4.4.5 同一防火分区内有不同性质的物料生产时，其火灾分类，应按火灾危险性较大的部分确定。多晶
硅生产火灾危险性分类见附录A。
4.4.6 爆炸危险区域的划分应按GB 50058的有关规定执行。有爆炸危险的甲、乙类厂房泄压面积的设置
应按GB 50016的有关规定执行，并应对人员安全疏散采取防护措施。
4.4.7 还原炉室等甲类火灾危险性且有防爆要求的厂房内不应设置办公室、休息室、巡检室。如需要设
置更衣室、工具室、卫生间等辅助房间，这些辅助房间应设置在还原炉室端墙贴邻一侧，并应采用耐火极
限不低于4.0h的不燃体防爆防护墙与还原炉室分隔；当防爆防护墙兼防火墙时，耐火极限不低于4.0h。
4.4.8 还原系统的变压器室、调功器室、高压启动室、炉体冷却水系统等辅助房间，应与还原炉室布置
在不同的隔间或防火分区内，并应采取防火墙、防爆防护墙、防火楼板分隔，平面布置应符合GB 50016
的有关规定。
4.4.9 还原炉室应采用泄爆墙及带有通风设施的泄压屋面。外墙与屋面泄压面积应符合下列规定：
a）泄压面积应符合GB 50016 的有关规定；
b）泄压设施应采用易于脱落的轻质屋盖、易于泄压的门和窗及轻质墙体。作为泄压面积的轻质墙体
及轻质屋面板自重不得超过60kg/㎡，材料的燃烧性能等级应为A级；
c）当泄压设施的材质不属于易碎性材料，泄爆设置应避开人员密集场所和主要交通道路。
4.4.10 制氢装置房间与其它辅助房间应用防爆防护墙分隔，制氢装置房间应设置泄压屋面或墙面，泄
压面积计算和设置要求应符合GB 50016的有关规定，同时满足GB50177的有关规定。
4.4.11 中心控制室同其它建筑贴邻建造时应划分成独立的防火分区。当贴邻的建筑位于爆炸危险区域
时，应采取防爆防护措施，建筑的安全出口不应正对有爆炸危险的装置。
4.4.12 下列场所可不计入建筑防火分区内：
a）防烟楼梯间及其前室;
b） 消防电梯前室及其合用前室；
c）设置甲级防火门的封闭楼梯间、敞开连廊。
4.4.13 变配电所不应设置在甲、乙类厂房内或贴邻建造，且不应设置在爆炸性气体、粉尘环境的危险
区域内。供甲、乙类厂房专用的20kV及以下的变配电所，当采用无门窗洞口的防火墙隔开并贴邻建造时
应符合下列规定：
a）有含油设备的变配电所可一面贴邻建造；
b）无油设备的变配电所可一面或两面贴邻建造。
4.4.14 因工艺生产的特性需求，联合厂房相邻外墙需设置连通口时，应采取相应的防火措施，相邻外
墙的防火间距及构造要求应符合GB 50016及GB 51283的有关规定。
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4.5电气设施
4.5.1 防雷、防静电
4.5.1.1 生产作业场所的各类建、构筑物应设置防雷设施。防雷措施及防雷装置应符合GB 50057和GB
50650的要求。防雷设施应由有资质的单位进行设计、安装和检测。
4.5.1.2 生产作业场所内可能产生静电危害的设备及管道，应按GB 12158和SH/T 3097的要求采取工业
防静电接地措施。使用、储存、输送、装卸、运输易燃易爆物品（各类溶剂、氯硅烷、导热油、产生可燃
性粉料等）的装置（反应器、提纯塔、换热容器、储罐、输送泵、装卸设施和过滤器、易燃液体、气体管
道阀门等）、装卸场所以及产生静电积累易燃易爆的生产设施岗位应有静电接地措施。各专设的静电接地
电阻值不应大于100Ω。
4.5.1.3 制氢装置、氢气储罐区、氢气压缩机房、氯硅烷罐区等重点爆炸危险区域的入口处，应设置人
体静电消除装置。
4.5.2 防火、防爆、电气安全
4.5.2.1 爆炸危险区域的划分应根据工艺装置特点确定，并应符合GB 50058的有关规定。
4.5.2.2 制氢装置、氯化氢合成装置、三氯氢硅合成装置、氯硅烷分离提纯装置、三氯氢硅还原装置、
还原尾气干法回收装置、四氯化硅氢化装置、氢气和氯硅烷罐区等爆炸性气体环境中电气装置的选型应符
合GB 50058的有关要求。硅粉库中若硅粉采用吨袋等密封包装，且转运、存储过程中无拆卸包装裸露硅粉
的情况，该硅粉库内用电设备可不考虑粉尘防爆和气体防爆；若存在粉尘爆炸环境，或扬尘可导致二次爆
炸环境，电气设施应满足粉尘防爆环境要求。
4.5.2.3 爆炸危险场所的电气设备和线路的设计和安装应符合GB 50058和GB 50257的规定。
4.5.2.4 各种场所的电气设施防爆等级见附录A。
4.5.2.5 控制室DCS系统、火灾报警系统、监控系统、呼叫对讲系统、应急照明系统、消防稳压泵、消
防排烟风机、还原炉体冷却水泵、还原炉底盘冷却水泵、还原炉电极冷却水泵、回收洗涤液循环泵、整理
装置废气洗涤系统、工艺废气洗涤循环泵等应属于一级负荷，由双重电源供电。
4.5.2.6 还原炉电极冷却水泵、整理装置废气洗涤系统、工艺废气洗涤循环泵、消防稳压泵、消防排烟
风机等用电负荷，应属于一级负荷中的特别重要负荷，除应由双电源供电外，尚应增设应急电源。
4.6 过程自动控制
4.6.1 中心控制室及装置控制室应设置不间断电源（UPS），连续供电时间不应小于30 min。
4.6.2 制氢装置、氯化氢合成装置、三氯氢硅合成装置、还原炉室、还原尾气干法回收装置、四氯化硅
氢化装置、氢气和氯硅烷罐区、氢气压缩机房等爆炸危险区域内，应按GB/T 50493和GBZ/T 223的要求设
置可燃气体及有毒气体检测报警仪。
4.6.3 可燃气体和有毒气体检测报警信号应送至24小时有人值守的现场控制室、中心控制室等进行显示
报警；可燃气体二级报警信号、可燃气体和有毒气体检测报警系统报警控制单元的故障信号应送至消防控
制室。
4.6.4 易燃易爆装置内的保护管与仪表、检测元件、电气设备、接线箱、接线盒等应当符合HG/T
21581或GB 50257的有关要求。
4.6.5 氯硅烷罐区、还原炉室、冷氢化装置和重大危险源等场所应设置视频监控系统，并根据爆炸危险
区域的划分采用适用等级的防爆视频监控设备。
4.6.6 二氯二氢硅、三氯氢硅等易燃液体不应使用玻璃管液位计。
4.6.7 四氯化硅氢化加热器和导热油加热器温度控制装置宜采用冗余配置，并定期校验。氢化反应器及
系统中的安全附件、安全保护装置、测量调控装置及有关附属仪器应完整、齐全、有效。
4.6.8 三氯氢硅合成、还原、四氯化硅氢化、还原尾气干法回收、电解水制氢、氯硅烷罐区等装置区内
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应根据物料的危害特性和工况条件设置仪表检测报警、自动联锁保护系统、消防应急联动系统。
4.6.9 生产现场主要出入口处及有人巡检操作且可能出现可燃、有毒气体积聚的相对封闭的场所，应设
置区域声光报警器。
4.6.10 构成一级、二级重大危险源的罐区应能实现紧急切断功能；涉及毒性气体、液化气体、剧毒液
体的一级、二级重大危险源的罐区应配备独立的安全仪表系统。
4.7 消防设施
4.7.1 多晶硅工厂应按GB 50016、GB 50160、GB 50974、GB 50370和GB 50140的有关规定设置消防设施
4.7.2 制氢装置、氯硅烷罐区、四氯化硅氢化装置、还原炉室、还原尾气干法回收等主要火灾危险场所
以及公用工程辅助设施区应设置火灾报警系统，并配备灭火设施。
4.7.3 多晶硅工厂应设置稳高压消防给水系统。
4.7.4 装置区、储罐区应按GB 50160的有关规定设置固定式消防水炮。氯硅烷罐区不宜采用固定式水喷
雾（水喷淋）系统和移动式消防冷却水系统。
4.7.5 三氯氢硅合成装置、还原厂房、还原尾气干法回收装置、四氯化硅氢化装置、氯硅烷储罐区等涉
及氯硅烷物料的装置和硅粉库应配置消防干砂。氯硅烷储罐区砂箱容量不应少于2m³/套，其余装置砂箱容
量不应少于1m³/套。
4.7.6 还原厂房的调功柜室宜设置气体灭火系统，并应符合GB 50370的有关规定。
4.7.7 厂房的洁净区消防设施按GB 50073执行。
4.7.8 生产作业场所应按GB 50140的规定根据火源及着火物质性质，配备适当种类、足够数量的消防器
材，并定期检查，保持有效状态。扑救初期三氯氢硅、二氯二氢硅等甲、乙、丙类液体应选用干粉灭火器
或干砂，同时配备氮气管线用于应急。
4.8 通风与排烟
4.8.1 生产过程中产生粉尘、可燃有毒气体或烟尘的作业场所，无组织排放至室外不符合GB 16297及其
他相关排放标准时，应设机械通风，在排放前应采取净化措施，并应达到相关污染物排放标准的要求。多
晶硅生产场所空气中主要有毒物质及粉尘容许浓度、多晶硅生产过程中的危险、有害因素分别见附录B、
附录C。
4.8.2 防排烟系统的设计应符合GB 50016的有关规定。
4.8.3 还原炉室房间相对于非防爆区，如更衣间、与后处理车间的洁净连廊等，应保持微负压，局部排
风与整体排风应符合下列规定：
a) 还原炉室应设局部排风、整体排风与事故排风系统，总排风量不应小于12次/h换气次数；
b) 排风机应符合防爆要求，事故风机电源应接入应急电源，应与可燃有毒报警仪联锁；
c) 事故排风机宜设备用风机；
d) 事故吸风口上缘至顶板的距离不应大于0.1m；
e) 风管应采取防静电接地措施。
4.8.4 腐蚀清洗、配酸柜等工序排出的酸性废气，应采用局部排风，所含酸性废气应采用酸雾净化塔进
行处理。
4.8.5 喷砂、硅棒破碎等产生粉尘的生产工艺，应设置过滤除尘系统，并按GB 15577设置粉尘防爆措施
4.8.6 硅芯炉泵房、石墨煅烧炉泵房等应设置整体排风系统，通风换气次数应大于等于6次/h。
4.8.7 洁净区排风管上应采取防止室外空气倒灌的措施。
4.8.8 各动力站房应有良好的通风措施，宜采用自然通风；当自然通风不能满足生产或安全、卫生要求
时，应设置机械通风或自然通风与机械通风联合的通风方式。
4.9 危险化学品储存
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4.9.1氯硅烷罐区应按照该罐区单个最大储罐的容积设置事故储罐。
4.9.2 储存氯硅烷的储罐，宜设置惰性气体密封保护系统。若工艺要求设置氢气密封保护系统的，应同
时设置氮气保护系统，紧急情况下应能远程控制通入氮气，氮气管道应设置防物料互串设施。
5 生产过程安全
5.1 一般规定
5.1.1 企业应当根据工艺、装置、设施等实际情况，建立健全安全生产责任制和安全生产规章制度，主
要的安全生产规章制度参见附录D。
5.1.2 企业应按附录E，每年开展重大生产安全事故隐患排查，及时消除重大生产安全事故隐患，有效
防范遏制重特大生产安全事故。
5.1.3 企业应在工艺投产或投用前，组织编制操作规程。
5.1.4 企业应将操作规程发放到相关岗位，并对有关人员进行专门培训，经考核合格后，方可上岗。
5.1.5企业应明确评审和修订安全生产规章制度和操作规程的时机和频次，定期进行评审和修订，确保
其有效性和适用性。
5.1.6 企业操作人员应严格执行操作规程，对工艺参数运行出现的偏离情况及时分析调整，保证工艺参
数控制不超出安全限值，偏差及时得到纠正。
5.1.7 企业应仔细核对、严格控制多晶硅生产的工艺技术指标，重要的控制指标应设管理控制点。更改
指标应有相应的工艺变更手续。
5.1.8 企业应按照安全操作规程进行生产设备的操作。
5.1.9 在多晶硅系统运行过程中，需要对稳压的储罐和塔器补充其所使用的高纯氢气。同时设置氮气保
护系统，紧急情况下应能远程控制通入氮气，氮气管道应设置防物料互串设施。
5.1.10 企业应建立氮气安全使用管理制度。
5.1.11 企业应对输送含硅粉、渣浆等物料的易磨损管线、设备壁厚进行定期检测，避免因磨损发生泄
漏。
5.1.12 企业应根据岗位职业病危害因素和安全风险辨识及评价情况，按呼吸防护、面部防护等标准，
制定劳动防护用品配发和管理制度。具体应包含但不限于：
a）进行硅粉添加、硅粉排放、石墨处理、硅块破碎等粉尘环境作业时，应穿戴防尘服、防尘口罩
b）涉及到液相物料的管线打开，物料添加等作业时，应配戴护目镜、面罩、耐酸碱手套、耐酸碱
鞋、防化服；
c）进入涉及危化品的受限空间，除根据物料特性应穿戴防护用品外，应使用长管式呼吸器，并设
置正压式送风机等通风设施；
d）进入爆炸危险性装置，应穿防静电服装，随身携带应急防护用品；
e）其他劳动防护管理应符合国家及地方相关标准。
5.1.13 企业应开展劳动防护用品使用培训，对不使用或不正确使用劳动防护用品的人员进行考核。
5.1.14 大型多晶硅企业应建立专职消防队。中小多晶硅企业，若园区或相邻企业有专职消防队，且消
防应急救援人员能在5分钟之内到达企业范围内的，可委托其他消防队作为企业应急救援队，但企业要
与之签订相关服务合同，若不能签订相关合同，或其他消防队应急救援人员不能在5分钟之内到达，中
小型也应建立专职消防队。在岗专职消防队员应包含消防车驾驶员、输水员、灭火等人员，且不能低于
8人，消防监控室应24小时有人值守。
5.1.15 企业应建立工艺处置队，工艺处置队应由技术、设备、仪表、电气等各专业人员和生产一线员
工组成，能满足最大风险的应急抢险需要。企业应定期开展训练、应急救援演练、并定期进行考核，淘
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AQ中华人民共和国安全生产行业标准AQXXXX—20XXSafetyspecificationforpolycrystallinesiliconproduction（征求意见稿）附件1ICS13.100CCSC65备案号多晶硅安全生产规范中华人民共和国应急管理部发布XXXX-XX-XX发布XXXX-XX-XX实施IAQXXXX—20XX目次前言..................................................................................II1范围...........................................
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